תלמידים יקרים!
קורס זה נותן כרגע מענה חלקי לנושאי הקורס 'אלקטרוניקה תקבילית'.
זמנית, הוכנסו פרקים שעוסקים בקבל MOS וב- MOSFETS אשר לקוחים מהקורס התיאורטי "יסודות התקני מוליכים למחצה" ולכן דנים בתכונות הרכיבים וכוללים שאלות בסיסיות עם ניתוח רכיבים אלו במעגל החשמלי.
פרק מתאים על התקן ה-MOSFET הכולל ניתוח במעגלים חשמליים שונים יעלה בהמשך.
עמכם הסליחה ותודה על ההבנה.
בהצלחה בלימודים!
צוות האתר גול.
פרק 1 - דיודות
▼
התקנים לא ליניאריים, צומת PN והדיודה האידיאלית, דיודה לא אידיאלית ו-3 מודלים של דיודה, דיודה מעשית, נקודת עבודה של דיודה ב-DC וב-AC, דיודת זנר, ניתוח מעגלים לוגים עם דיודות.
פרק 2 - הטרנזיסטור הביפולרי (BJT - Bipolar Junction Transistor)
▼
טרנזיסטור NPN, טרנזיסטור PNP, מצבי פעולה של טרנזיסטור, אופיין של טרנזיסטור, תצורות חיבור של טרנזיסטור CE, CB, CC. צמד דרלינגטון. נקודת עבודה של טרנזיסטור, מודל אות גדול ומודל אות קטן, מטריצה היברידית, פרמטרי H של טרנזיסטור במודל אות קטן. מודל פאי (Hybrid-Pi Model), ניתוח אות קטן.
פרק 3 - מגברי שרת
▼
הפרק עוסק במגברי שרת, הגדרות וסימון, תחומי פעולה, כללים בניתוח מעגלים עם מגברי שרת, מעגלים נפוצים עם מגברי שרת, כניסת אותות שונים למגברי שרת וביצוע פעולות מתמטיות, מיכשור רפואי, מגבר שרת אידיאלי, תגובת התדר של מגברי שרת וניתוח במישור התדר של מעגלי הגבר שונים
פרק 4 - קבל MOS - מתוך קורס יסודות מל"מ
פרק 5 - טרנזיסטור תוצר שדה (MOSFETS - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) - מתוך קורס יסודות מל"מ
▼
הגדרת טרנזיסטור, מבנה בסיסי של NMOS ושל PMOS, טכנולוגית CMOS, סמל חשמלי והתייחסות חשמלית של MOSFETS, אופיין IV ומצבי פעולה, משוואות לפי שיטת Square Law ולפי שיטת Bulk Charge, מוביליות אפקטיבית, מתח סף/הפעלה, סוגי התקנים: JFET, MESFET, HMET והתקן מסוג depletion ו-enhancement. אפקט מצע (Body Effect).